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ES1DV M2G /
ES1DV M2G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

二极管类型:标准

电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V

电流 - 平均整流(Io):1A

不同 If 时的电压 - 正向(Vf:920mV

电流,耦合至电压 - 正向(Vf)(最大值)@ If:1A

速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间(trr):15ns

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA

电压,耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:200V

不同 Vr,F 时的电容:17pF @ 4V,1MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:DO-214AC,SMA

供应商器件封装:DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商ES1DV M2G
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万三科技(深圳)有限公司深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市源美佳成电子有限公司新华强Q2C0350755-83204865
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ES1DV M2GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC$0.09343